電阻測量儀EC-80P在多晶硅納米薄膜檢測中的運用

電阻測量儀EC-80P在多晶硅納米薄膜檢測中的運用

不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,研究了摻雜濃度對多晶硅納米薄膜壓阻和電學修正特性的影響。利用低壓化學氣相淀積法制備了不同摻雜濃度的多晶硅納米薄膜,摻雜濃度分別為1.0×1020 cm-3、2.0×1020 cm-3、4.1×1020 cm-3和7.1×1020 cm-3。利用應變系數(shù)測量裝置對不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的應變系數(shù)進行了測量;利用恒流源和萬用表測量不同摻雜濃度多晶硅納米薄膜的電學修正特性。實驗結(jié)果表明:多晶硅納米薄膜的應變系數(shù)與摻雜濃度有關(guān),應變系數(shù)范圍:33.38～38.41;利用電學方法能夠修正多晶硅納米薄膜的電阻,最大修正范圍可達15.4%。多晶硅納米薄膜具有較高的應變系數(shù),適用于制作壓阻式傳感器;電學修正可用來調(diào)整多晶硅納米薄膜的電阻,進而降低傳感器的失調(diào)。

日本napson便攜式導電薄膜無損（渦流法）電阻測量儀EC-80P

產(chǎn)品特點

只需觸摸手持式探頭即可進行電阻測量。
在電阻率/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設(shè)置測量條件
連接到連接器的電阻測量探針是可更換的，因此它支持廣泛的電阻。
（電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）
測量規(guī)格
測量目標
相關(guān)（硅，多晶硅，碳化硅等）半導體/太陽能電池材料
的新材料/相關(guān)功能性材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
導電薄膜相關(guān)的（金屬，ITO等）
硅基外延離子注入的樣品
化合物與半導體有關(guān)的（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
其他（*請與我們聯(lián)系）
測量尺寸
無論樣品大小和形狀如何均可進行測量（但是，大于20mmφ且表面平坦）
測量范圍
[電阻率] 1 m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500 um）
[抗熱阻] 10 m至3 kΩ/ sq
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（ 0.5至60Ω-cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽能晶片：5至500Ω/□（0. 2至15Ω-cm）