耐高壓單層陶瓷電容器

在GaN半導體中，單層陶瓷電容也用于阻抗匹配，在漏極側(cè)高壓下使用，所以能承受高電壓的單層陶瓷電容是不可少的。除了偏置電壓之外，還疊加了放大的高頻電壓，因此要求單層陶瓷電容器具有高耐壓，并在額定電壓范圍內(nèi)留有余量。

制造額定電壓200V的單層陶瓷電容。

Tecdia因應(yīng)市場需求，制作了以下規(guī)格的高壓單層陶瓷電容器樣機。

Tecdia 的高壓單層陶瓷電容器具有五個特點。
1．介電擊穿電壓達到 500 V 或更高，是高壓應(yīng)用的理想選擇
2．高可靠性
3．通過定制為矩形，可以對應(yīng)狹長空間的封裝需求（L:W = 最大 8:1）
4．定制尺寸和電容值提供上佳解決方案
5．導電環(huán)氧樹脂附著保護熱敏外圍組件

從電介質(zhì)基板的制造到批量生產(chǎn)，都能提供滿足客戶需求的產(chǎn)品。

在 Tecdia，我們生產(chǎn) 40 到 50,000 材介電基板，從粘合到內(nèi)部燒制，可實現(xiàn)適用于高壓應(yīng)用的高絕緣性能。我們從制造介電基板到產(chǎn)品批量生產(chǎn)，我們可以根據(jù)客戶需求定制尺寸和電容值。

實現(xiàn)半導體高效率

我們通過使用高壓單層陶瓷電容器優(yōu)化阻抗實現(xiàn)了高效率，并且我們收到了與 MOS 電容器相比功率附加效率（PAE）有所提高的反饋。

高壓單層陶瓷電容器的應(yīng)用示例包括用于無線電設(shè)備放大半導體的偏置電路和阻抗匹配。