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技術(shù)文章

tecdia高壓單層陶瓷電容的使用示例分析

tecdia高壓單層陶瓷電容的使用示例分析

普及通信發(fā)展*半導體材料“GaN"(氮化鎵)

高速、大容量、低時延、超海量連接的5G已經(jīng)開始應(yīng)用,著眼于未來 5 到 10 年5G(Beyond 5G)和 6G 的技術(shù)開發(fā)也已經(jīng)開始。,氮化鎵(GaN)正在成為高效帶寬、高功率頻率無線通信領(lǐng)域的主流半導體材料。GaN具有比SiC(碳化硅)更穩(wěn)定的鍵合結(jié)構(gòu)和更高的介電擊穿強度,作為半導體材料也備受關(guān)注。它還具有寬禁帶。此外,由于它的禁帶寬度寬可以在高壓下使用,有望進一步降低功耗,提高電子設(shè)備的效率。

采用前的狀態(tài)、問題

耐高壓單層陶瓷電容器

在GaN半導體中,單層陶瓷電容也用于阻抗匹配,在漏極側(cè)高壓下使用,所以能承受高電壓的單層陶瓷電容是不可少的。除了偏置電壓之外,還疊加了放大的高頻電壓,因此要求單層陶瓷電容器具有高耐壓,并在額定電壓范圍內(nèi)留有余量。

問題的解決策略

制造額定電壓200V的單層陶瓷電容。

Tecdia因應(yīng)市場需求,制作了以下規(guī)格的高壓單層陶瓷電容器樣機。

Tecdia 的高壓單層陶瓷電容器具有五個特點。
1.介電擊穿電壓達到 500 V 或更高,是高壓應(yīng)用的理想選擇
2.高可靠性
3.通過定制為矩形,可以對應(yīng)狹長空間的封裝需求(L:W = 最大 8:1)
4.定制尺寸和電容值提供上佳解決方案
5.導電環(huán)氧樹脂附著保護熱敏外圍組件

決定采用的理由

從電介質(zhì)基板的制造到批量生產(chǎn),都能提供滿足客戶需求的產(chǎn)品。

在 Tecdia,我們生產(chǎn) 40 到 50,000 材介電基板,從粘合到內(nèi)部燒制,可實現(xiàn)適用于高壓應(yīng)用的高絕緣性能。我們從制造介電基板到產(chǎn)品批量生產(chǎn),我們可以根據(jù)客戶需求定制尺寸和電容值。

情況與效果

實現(xiàn)半導體高效率

我們通過使用高壓單層陶瓷電容器優(yōu)化阻抗實現(xiàn)了高效率,并且我們收到了與 MOS 電容器相比功率附加效率(PAE)有所提高的反饋。

高壓單層陶瓷電容器的應(yīng)用示例包括用于無線電設(shè)備放大半導體的偏置電路和阻抗匹配。

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