臺式高壓電容絕緣材料電阻測試儀高阻計

產(chǎn)品名稱: 臺式高壓電容絕緣材料電阻測試儀高阻計

產(chǎn)品型號: D1-11N 系列 1405

產(chǎn)品特點(diǎn): 臺式高壓電容絕緣材料電阻測試儀高阻計
日本 Musashi 武藏 D1-11N 系列「1405」型號 = 在標(biāo)準(zhǔn) 405 基礎(chǔ)上的高電壓版臺式 Tera-Ohmmeter，專為 2 kV 級絕緣材料（車載電池隔膜、高壓電容、厚膜電阻、OLED/PI 基板、柔性 PCB）設(shè)計，可測 1 kV – 2 kV / 0.1 fA / 20 PΩ 級超高阻與極微漏電流。一句話：把“擊穿電壓"和“絕緣電阻

臺式高壓電容絕緣材料電阻測試儀高阻計 的詳細(xì)介紹

臺式高壓電容絕緣材料電阻測試儀高阻計

日本 Musashi 武藏 D1-11N 系列「1405」型號 = 在標(biāo)準(zhǔn) 405 基礎(chǔ)上的高電壓版臺式 Tera-Ohmmeter，專為 2 kV 級絕緣材料（車載電池隔膜、高壓電容、厚膜電阻、OLED/PI 基板、柔性 PCB）設(shè)計，可測 1 kV – 2 kV / 0.1 fA / 20 PΩ 級超高阻與極微漏電流。一句話：把“擊穿電壓"和“絕緣電阻"在同一臺儀器里完成。

1. 與 405 差異速覽

表格

復(fù)制

項目	1405	405
最大電壓	2 000 V (1 V 步)	1 000 V
電阻上限	20 PΩ (2×101? Ω)	10 PΩ
擊穿掃描	0.1 – 2 000 V/s	0.1 – 1 000 V/s
電流檔	0.1 fA – 2 mA	0.1 fA – 1 mA
精度	±1 % (≤20 TΩ)	±1 % (≤10 TΩ)

其余接口、尺寸、軟件、校準(zhǔn)周期與 405

① 2 kV 斜坡掃描
線性升壓至 2 000 V，捕捉 VBD（擊穿電壓）與漏電流拐點(diǎn)，無需另購高壓源。

② 極化保持模式 (Hold Polarization)
高壓加載后可維持 2 kV 恒定 1 – 9999 s，評估高壓極化下的時間-漏電流曲線，適合 PI 柔性基板、車載電容薄膜。

③ 高壓安全鎖

三同軸輸出，帶機(jī)械安全蓋 + 軟件互鎖
外部急停端口，與恒溫箱、高壓探臺聯(lián)動

④ 20 PΩ 量程
材料電阻率 > 101? Ω·cm 亦可讀數(shù)，滿足 IEC 62631-3-1 高壓絕緣電阻標(biāo)準(zhǔn)。

3. 典型應(yīng)用 & 判定

車載電池隔膜：2 kV 下 ρv > 5×101? Ω·cm（符合 LV124 / VW 80000）
薄膜電容：1.5 kV 漏電流 < 100 pA（@85 ℃ 1000 h 試驗前篩選）
柔性 OLED-PI：1 kV-2 kV 斜坡，找出 > 1013 Ω/□ 表面電阻工藝窗口
厚膜電阻漿料：2 kV 下?lián)舸﹫鰪?qiáng) > 60 kV/mm

4. 主機(jī)規(guī)格（同 405 外觀）

尺寸：W 260 × D 380 × H 140 mm，6.4 kg
電源：AC 100-240 V 50/60 Hz 80 W（高壓升壓模塊內(nèi)置）
高壓輸出：三同軸 BNC，隨機(jī)帶 2 kV rated 測試線
校準(zhǔn)附件：20 GΩ / 2 TΩ 高壓標(biāo)準(zhǔn)電阻器（2 kV 耐壓）

一句話總結(jié)

D1-11N-1405 = 2 kV 級臺式 tera-ohmmeter：1 V-2 kV 可調(diào)、20 PΩ、0.1 fA，斜坡?lián)舸?& 高壓極化保持一鍵完成，專為車載、高壓電容、柔性 OLED 等 2 kV 絕緣材料測試設(shè)計。

日本 Musashi 武藏 D1-11N 系列「1405」型號 = 在標(biāo)準(zhǔn) 405 基礎(chǔ)上的高電壓版臺式 Tera-Ohmmeter，專為 2 kV 級絕緣材料（車載電池隔膜、高壓電容、厚膜電阻、OLED/PI 基板、柔性 PCB）設(shè)計，可測 1 kV – 2 kV / 0.1 fA / 20 PΩ 級超高阻與極微漏電流。一句話：把“擊穿電壓"和“絕緣電阻"在同一臺儀器里完成。

1. 與 405 差異速覽

表格

復(fù)制

項目	1405	405
最大電壓	2 000 V (1 V 步)	1 000 V
電阻上限	20 PΩ (2×101? Ω)	10 PΩ
擊穿掃描	0.1 – 2 000 V/s	0.1 – 1 000 V/s
電流檔	0.1 fA – 2 mA	0.1 fA – 1 mA
精度	±1 % (≤20 TΩ)	±1 % (≤10 TΩ)